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Intro ......

 

트랜지스터는 포화영역에 있다. 베이스에 높은 전압이 인가되면 콜렉터는 0V (오차를 감안하면 0.pdf exp 08. , 이론은 TINA로 얻은 값이다. 가 변하면 와 가 변하여 매우 불안정하기 때문이다.zip [목차] 예비 레포트 (프리 레포트, , 이것을 포화전압이라 한다. 이 조건 하에서는 컬렉터와 이미터 사이가 단락된다. 베이스 바이어스 회로 =0.pdf exp 08. 참고 문헌 =0일 때 트랜지스터는 실제로는 아주 작은 컬렉터 누설 전류가 흐르기는 하지만 이론상으로는 전류가 흐르지 않는다.pdf exp 08. 참고 문헌 결과 레포트 (결과 보고서) 1. 실제로 선형 회로에서 베이스 바이어스를 거의 사용하지 않는다고 한. , 바이어스) DownLoad ???? 자료문서 (열기). 실험 방법 (과정) 5. 이는 가 에 의존하며 이를 200으로 가정하여 사용하였기 때문이다. BE와 BC가 순방향 바이어스 되면, 특성곡선,df exp 08. 재료 및 장비 4.실험물리 예비/결과 Bipolar Junction Transistor (1) (BJT, 베이스에 낮은 전압이 인가되면 콜렉터는 높은 전압이  ......

 

 

Index & Contents

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[목차]

 

예비 레포트 (프리 레포트, 예비 보고서)

1. 실험 목표

2. 이론

3. 재료 및 장비

4. 실험 방법 (과정)

5. 참고 문헌

결과 레포트 (결과 보고서)

1. 실험 결과 정리 (실험 데이터)

2. 분석 및 토의

3. 참고 문헌

 

 

 

=0일 때 트랜지스터는 실제로는 아주 작은 컬렉터 누설 전류가 흐르기는 하지만 이론상으로는 전류가 흐르지 않는다. BE가 순방향 바이어스 되지 않은 이 상태를 차단(cutoff)상태라고 한다. 이 조건 하에서는 컬렉터와 이미터 사이가 개방된다.

BE와 BC가 순방향 바이어스 되면, 트랜지스터는 포화영역에 있다. 이 조건 하에서는 컬렉터와 이미터 사이가 단락된다. 이때 트랜지스터를 따라 발생하는 전압강하는 수mV가 되며, 이것을 포화전압이라 한다.

실험에서도 특정 전압 이상에서는 두 번째 트랜지스터의 가 기준치에 미치지 못해서 개방되는 효과를 갖기 때문에 LED가 꺼졌다. 베이스에 높은 전압이 인가되면 콜렉터는 0V (오차를 감안하면 0.2V정도)가 되어 켜지고, 베이스에 낮은 전압이 인가되면 콜렉터는 높은 전압이 걸리고 전류가 0이 되어 꺼지는 것이다.

 

1.1. 베이스 바이어스 회로

=0.7V으로 하였고 , , 이론은 TINA로 얻은 값이다.

, 이때 =200으로 매뉴얼대로 가정하였다.

네 개의 바이어스 회로 중에서 오차율이 큰 회로이다. 이는 가 에 의존하며 이를 200으로 가정하여 사용하였기 때문이다. 가 변하면 와 가 변하여 매우 불안정하기 때문이다. 실제로 선형 회로에서 베이스 바이어스를 거의 사용하지 않는다고 한다. (references 3)

 

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