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Intro ......

 

1/4W1개10㏀ 저항; 10%, 1/4W1개2㏀ 저항; 5%,서론 어떤 증폭기든지 그 중요한 특징은 그 입력 저항이다. 1/4W1개100㎊ 콘덴서1개1000㎊ 콘덴서1개0. 이미 반도체 이론에서 배운 것과 같이 콜렉터 접지 증폭기의 입력 저항은 트랜지스터의 β에 에미터 저항을 곱한 것과 같음을 알 수 있을 것이다. 실험기의 GENERATOR의 주파수 조정 손잡이를 돌려 주파수가 100㎐가 되게 한다. 이를 식으로 표시하면 RIN = β×RE이다. 오실로스코프이 접지 리드를 회로의 B 점에 접속하고 전압 리드는 A 점에 접속시킨다. 실험 부품 및 기기 전자실험기(ED-2100) : NO-21021대오실로스코프1대100Ω 저항; 10%, 1/4W1개1000Ω 저항; 5%, 1/4W1개100㏀ 저항; 10%. 그림 1 실험 순서 1에서 10까지 실험 회로 2.. 직류증폭기 목적 트랜지스터의 β와 에미터 저항값에 의해 증폭기의 입력 저항이 얼마의 영향을 받는가를 보여주고 β가 Darlington 회로에서 얼마나 증폭하는가를 확인하고자 한다. 5. 그림 2에 보인 것과 같이 오실로스코프를 조정하여  ......

 

 

Index & Contents

직류 증폭기

 

직류 증폭기에 대한 자료입니다. 직류증폭기

 

목적

트랜지스터의 β와 에미터 저항값에 의해 증폭기의 입력 저항이 얼마의 영향을 받는가를 보여주고 β가 Darlington 회로에서 얼마나 증폭하는가를 확인하고자 한다.

 

서론

어떤 증폭기든지 그 중요한 특징은 그 입력 저항이다. 이미 반도체 이론에서 배운 것과 같이 콜렉터 접지 증폭기의 입력 저항은 트랜지스터의 β에 에미터 저항을 곱한 것과 같음을 알 수 있을 것이다. 이를 식으로 표시하면 RIN = β×RE이다.

이와 같은 것을 쉬운 방법으로 보여주기 위하여 RIN 저항을 RC회로의 저항으로 사용하여 β와 RE의 값을 변화시켜 RIN의 시정수를 변화시키는 것이다. 이때 이 시정수를 조심스럽게 측정함으로서 RIN에 미치는 영향을 결정할 수 있다.

 

실험 부품 및 기기

전자실험기(ED-2100) : NO-21021대오실로스코프1대100Ω 저항; 10%, 1/4W1개1000Ω 저항; 5%, 1/4W1개2㏀ 저항; 5%, 1/4W1개10㏀ 저항; 10%, 1/4W1개100㏀ 저항; 10%. 1/4W1개100㎊ 콘덴서1개1000㎊ 콘덴서1개0.01㎌ 콘덴서1개실리콘 다이오드(1N4002)1개NPN 트랜지스터2개

 

실험 순서 및 결과

1. 전자실험기의 전원 스위치가 꺼져 있는 상태에서 그림 1의 RC 필터 회로를 실험기에 구성하고 회로 구성이 완료되면 실험기의 전원 스위치를 ON 한다.

그림 1 실험 순서 1에서 10까지 실험 회로

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2. 오실로스코프에 전원을 넣은 다음 트리거를 INT로 하고 HOR sweep time은 1000㎲가 되게 조정한다.

 

3. 오실로스코프이 접지 리드를 회로의 B 점에 접속하고 전압 리드는 A 점에 접속시킨다.

 

4. 실험기의 GENERATOR의 주파수 조정 손잡이를 돌려 주파수가 100㎐가 되게 한다.

 

5. 그림 2에 보인 것과 같이 오실로스코프를 조정하여 파형의 높이가 정확히 5㎝가 되게 하고 실험기의 주파수를 조정하여 그림 2의 C 점이 정확히 그림과 같은 위치에 호게한 다음 관측된 파형을 그림 3에 그려라.

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